電子工業(yè)生產(chǎn)線上的靜電及其危害

電子工業(yè)生產(chǎn)線上的靜電及其危害

1.靜電感應(yīng)的危害

2.半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電及其危害

①穿著尼龍衣、塑膠基底鞋緩慢在清潔地板上走動(dòng)，人身會(huì)帶7KV-8KV電壓

②玻璃纖維制成的晶體載料盒滑過聚丙烯桌面時(shí)，易產(chǎn)生10KV靜電。

③晶片裝配線：晶片5KV,晶片裝料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,有機(jī)玻璃蓋8KV,石英晶體1.5KV,晶片托盤6KV

④光刻間塑料地面500V-1000V,金屬網(wǎng)格地面也是500V-1000V,擴(kuò)散間塑料地面500V-1500V瓷磚地面也是500V-1500V,塑料墻面約700V,塑料頂棚0-1000V,鋁板送風(fēng)口，回風(fēng)口500V-1000V,金屬活動(dòng)皮革椅面500V-3000V

3.半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電危害

①靜電庫侖力的危害：靜電庫侖國作用下吸附的粉塵、污物，可能帶給元器件，從而增大泄露或造成短路，使性能受損，成品率大大下降。如粉塵粒徑〉100微米，鋁線寬度約100微米，薄膜厚度在50微米以下時(shí)，最易使產(chǎn)品報(bào)廢，這種情形多發(fā)生在腐蝕清洗、光刻、點(diǎn)焊和封裝等工藝過程中

②靜電放電引起的危害：如有數(shù)千、數(shù)萬伏的高電位物體發(fā)生脈沖刷形放電或火花放電時(shí)，瞬間會(huì)有很高的放電電流流向大地時(shí)，形成脈沖狀的電流峰位在20A,造成可觀的影響，靜電放電（ESD）還伴隨著電磁波發(fā)射，會(huì)引起種種危害。

A、MOSIC等半導(dǎo)體器件將被靜電放電（ESD）擊穿或半擊穿。 MOS場效應(yīng)管其柵極是從氧化膜引出，柵極與襯底間是隔著一層氧化膜，當(dāng)柵極與襯底間的電壓超過一定值，氧化膜便被擊穿，如果MOSIC,則全部報(bào)廢了當(dāng)施加電壓于天UB=50-100V,氧化膜便會(huì)被擊穿，因?yàn)闁艠O電容很小（約幾個(gè)微微法）,輸入阻搞很高（約1014Ω以上）,這樣，少量的電荷就會(huì)產(chǎn)生很高電壓，電荷也很難匯漏，只要大于50V（無保護(hù)）就會(huì)燒毀，所以，只要人手一摸柵極，元件就壞了，因?yàn)槿藥щ姵^50V是平常事。

我們可以了解到集成電路對(duì)靜電敏感性，各種芯片不同之處在于所能承受的耐靜電壓值不同。實(shí)際工用條件中，幾乎20V的靜電壓直接接觸器件就足以毀壞或降低性能。

B、組裝中要損壞元器件，或造成電子儀器設(shè)備故障或誤動(dòng)作。

靜電放電損壞元器件使整塊印刷電路板失去作用，造成經(jīng)濟(jì)損失；

靜電放電的噪聲引起機(jī)器設(shè)備的誤動(dòng)作或故障一間接放電影響，電容放電測得結(jié)果，除產(chǎn)生瞬間脈沖大電流外，還會(huì)產(chǎn)生跨越數(shù)兆赫茲，甚至數(shù)百赫茲的強(qiáng)大噪聲。近年來，靜電放電噪聲引起計(jì)算機(jī)誤動(dòng)作的基礎(chǔ)研究取得很大進(jìn)展。

放電時(shí)產(chǎn)生的電磁波進(jìn)入接收機(jī)后，會(huì)產(chǎn)生雜音，干擾信號(hào)從而降低信息質(zhì)量，或引起信息誤碼。

4.對(duì)電子設(shè)備生產(chǎn)過程的靜電危害

整機(jī)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)遭遇靜電破壞。主要環(huán)節(jié)包括：器件的采購運(yùn)輸；器件進(jìn)廠檢驗(yàn)、驗(yàn)收；器件儲(chǔ)存、領(lǐng)料；器件插裝、焊接；產(chǎn)品組裝、檢驗(yàn)；產(chǎn)品包裝，發(fā)貨。

除電子元件、電子設(shè)備生產(chǎn)過程中受到靜電破壞外，就是在產(chǎn)品使用過程中，也會(huì)受到靜電的危害。歸納起來，靜電引起的危害足以造成電子器件和電子設(shè)備性能失調(diào)，其對(duì)電子器件、設(shè)備危害的狀況不容忽視。

消除靜電相關(guān)產(chǎn)品：超聲波加濕器